Siliciumcarbid (SiC)
Siliciumcarbid (SiC) er et tredje-generations bredt-halvledermateriale med båndgab, der er karakteriseret ved dets høje elektriske nedbrydningsfelt, høje termiske ledningsevne, høje elektronmætningsdrifthastighed og fremragende kemiske og termiske stabilitet. Det er meget udbredt i kraftelektronik, RF-enheder, elektriske køretøjer, 5G-kommunikation, industrielle strømforsyninger, rumfart og andre områder. Dens hårde og skøre natur gør præcisionsbearbejdning til et kritisk trin i fremstillingen af-højtydende enheder.
Hemei Company besidder dyb teknisk ekspertise inden for præcisionsbearbejdning af hårde og skøre materialer. Vi har udviklet en effektiv og stabil polerings- og planariseringsproces specifikt til SiC-materialer. Denne proces muliggør fuldstændig kontrollerbar bearbejdning fra substratforberedelse til overfladefinish på enheds-niveau, der opfylder de strenge overfladekvalitetskrav til SiC i avancerede-applikationer såsom strømmoduler og mikrobølge-RF-enheder.
Ansøgningskrav
Målene for polering og overfladebehandling af SiC-materialer omfatter:
Reduktion af overfladeruhed (Ra) til < 0,5 nm.
Opnåelse af overfladeplanhed (TTV) Mindre end eller lig med 1 μm, hvor lokal planhed (LTV) er bedre end denne værdi.
Producerer overflader fri for ridser, mikro-revner og under{1}}overfladeskader for at opfylde kravene til elektrisk ydeevne på enhedens-niveau.
Kompatibilitet med forskellige polytyper såsom 4H-SiC og 6H-SiC, der understøtter waferbehandling fra 4-tommer til 8-tommer diametre.
For at nå disse mål anvender Hemeis proces tilpassede bindingssystemer og flertrinspoleringsprocedurer, hvilket sikrer geometrisk nøjagtighed og overfladeintegritet under behandlingen.
Systemspecifikationer
Hemeis modulære poleringssystemer understøtter behandlingen af SiC-wafers/krystaller i forskellige størrelser og former. Kernesystemerne omfatter:
HSM-L/LP-seriens lapningsudstyr: Bruges til indledende materialefjernelse og tykkelseskontrol.
HSM-CMP Series Chemical Mechanical Polishing Systems: Bruges til at opnå ultra-glatte, skade-frie overflader.
Nøgleundersystemer:
Wafer/Crystal-specifik Bonding Unit (WB).
SJ/ASJ Series præcisionspoleringsarmaturer.
C-ASJ Drive Head High-Poleringssystem med høj hastighed.
Procesflow
Læbning og montering: SiC-prøven limes midlertidigt til en bæreplade ved hjælp af WB-bindingsenheden og monteres derefter på poleringsfiksturen.
Ru- og mellempolering: Kontrolleret slibning udføres på HSM-L-udstyret for at fjerne det proces-berørte lag.
Finpolering: Den endelige polering udføres ved hjælp af HSM-CMP-systemet. Parametre såsom tryk, rotationshastighed og gyllestrømningshastighed justeres i realtid- for at opnå glathed på nano-niveau.
Typiske resultater
Overfladeruhed Ra < 0,5 nm.
Total tykkelsesvariation (TTV) Mindre end eller lig med 1 μm, lokal tykkelsesvariation (LTV) Mindre end eller lig med 0,3 μm.
Materialefjernelseshastighed: 0.5 - 2 μm/min (justerbar).
Velegnet til SiC-wafere med diametre mindre end eller lig med 8 tommer, der understøtter almindelige polytyper som 4H/6H-SiC.
Opsummering
Hemei Company leverer en komplet og pålidelig polerings- og planariseringsløsning til siliciumcarbidmaterialer. Denne løsning leverer konsekvent overfladekvalitet på nano-niveau og høj elektrisk ydeevne og understøtter derved industrialiseringen og forbedringen af enhedens ydeevne for SiC inden for avancerede-områder såsom kraftelektronik, RF-kommunikation og nye energikøretøjer.
